長鑫存儲申請半導體結構製作方法及其結構專利，提供一種新的半導體結構的製作方法

金融界2024年10月30日消息，國家知識產權局信息顯示，長鑫存儲技術有限公司申請一項名爲“半導體結構的製作方法及其結構”的專利，公開號 CN 118829191 A，申請日期爲2023年4月。

專利摘要顯示，本公開實施例涉及半導體領域，提供一種 半導體結構的製作方法及其結構，其中，半導體結構的製作方法包括：提供襯底；在襯底上形成多個沿第一方向以及第二方向間隔排布的位線接觸結構；形成電容接觸結構，電容接觸結構位於襯底上且與位線接觸結構相間隔；形成沿第二方向延伸的位線結構，位線結構與沿第二方向排布的位線接觸結構接觸連接，且位線結構與電容接觸結構間隔，可以提出一種新的半導體結構的製作方法。

本文源自：金融界

作者：情報員