上海積塔半導體申請溝槽型晶體管結構及其製備方法專利，工藝簡單

金融界 2024 年 10 月 29 日消息，國家知識產權局信息顯示，上海積塔半導體有限公司申請一項名爲“溝槽型晶體管結構及其製備方法”的專利，公開號 CN 118824860 A，申請日期爲 2024 年 8 月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種溝槽型晶體管結構及其製備方法。所述方法包括如下步驟：形成一基底，所述基底包括半導體襯底、溝槽、第一氧化層以及多晶硅層，所述多晶硅層頂部存在缺陷形貌；於所述多晶硅層頂部表面形成第二氧化層以修復所述缺陷形貌；於所述半導體襯底表面和所述第二氧化層頂面形成連續分佈的金屬層，所述金屬層與所述半導體襯底表面以及所述第二氧化層頂面的接觸面爲平滑表面以及對所述金屬層進行處理，形成暴露所述第二氧化層的金屬硅化物層。本發明利用多晶硅與碳化硅氧化溫度的差異，在不氧化作爲襯底的碳化硅的溫度下對多晶硅層的多晶硅進行氧化，形成的氧化膜作爲金屬硅化物層，工藝簡單，且所形成的金屬硅化物層面內均勻性好、歐姆接觸好。

本文源自：金融界

作者：情報員