上海積塔半導體申請半導體結構製備方法及半導體結構專利，緩解異質膜層接合面處原子失配現象

金融界2024年12月2日消息，國家知識產權局信息顯示，上海積塔半導體有限公司申請一項名爲“半導體結構的製備方法及半導體結構”的專利，公開號CN 119049958 A，申請日期爲2024年8月。

專利摘要顯示，本申請提供了一種半導體結構的製備方法及半導體結構，所述方法包括：提供一襯底；在所述襯底的一側形成至少一個應力釋放結構，各個所述應力釋放結構包括第一薄膜以及石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜位於所述第一薄膜背離所述襯底的一側；於所述應力釋放結構背離所述襯底的一側形成第二薄膜。本申請通過引入石墨烯膜層實現氮化硅薄膜內應力的釋放，緩解異質膜層接合面處原子失配現象，增強工藝兼容性，防止晶圓翹曲和變形，提高機械性能和熱穩定性，優化電學性能，提高了第二薄膜在半導體制造應用中的性能和可靠性。

本文源自：金融界

作者：情報員