愛思開海力士申請半導體存儲器裝置及製造方法專利,提高半導體存儲器裝置性能

金融界2024年11月6日消息,國家知識產權局信息顯示,愛思開海力士有限公司申請一項名爲“半導體存儲器裝置及該半導體存儲器裝置的製造方法”的專利,公開號 CN 118900566 A,申請日期爲2023年11月。

專利摘要顯示,本文提供了半導體存儲器裝置及該半導體存儲器裝置的製造方法。該半導體存儲器裝置包括:第一柵極層疊體,其包括在垂直方向上交替層疊的多個層間絕緣層和多個導電圖案;第二柵極層疊體,其包括依次形成在第一柵極層疊體上的源極選擇線和絕緣圖案;以及溝道結構,其在垂直方向上延伸到第一柵極層疊體和第二柵極層疊體中,並且包括向上突出高於第二柵極層疊體的第一端,其中,源極選擇線包括依次層疊的多個導電層。

本文源自:金融界

作者:情報員