武漢光谷信息光電子創新中心申請半導體結構及其製作方法、電光調製器專利，提高電光調製性能

金融界2024年11月30日消息，國家知識產權局信息顯示，武漢光谷信息光電子創新中心有限公司申請一項名爲“半導體結構及其製作方法、電光調製器”的專利，公開號CN 119045218 A，申請日期爲2024年8月。

專利摘要顯示，本公開實施例公開了一種半導體結構及其製作方法、電光調製器；所述半導體結構包括：第一光波導，沿第一方向延伸；所述第一光波導包括在第二方向上交替設置的第一摻雜區和第二摻雜區；所述第一摻雜區與所述第二摻雜區接觸形成多個PN結；所述第二方向與所述第一方向相交；第一電極以及第二電極；其中，所述第一光波導具有在所述第二方向上相對設置的第一側和第二側；所述第一側爲所述第一摻雜區，且與所述第一電極耦接；所述第二側爲所述第二摻雜區，且與所述第二電極耦接。

本文源自：金融界

作者：情報員