長鑫存儲取得電容器陣列結構及其製備方法專利，有效提高了電容器的電連接穩定性及電荷存儲能力

金融界2024年2月8日消息，據國家知識產權局公告，長鑫存儲技術有限公司取得一項名爲“電容器陣列結構及其製備方法“，授權公告號CN108538835B，申請日期爲2018年5月。

專利摘要顯示，本發明提供一種電容器陣列結構及其製備方法，該方法包括：1）提供一半導體襯底，於半導體襯底上形成疊層結構；2）於疊層結構上形成圖形化掩膜層，基於圖形化掩膜層於疊層結構中刻蝕出多個電容孔；3）於電容孔的底部及側壁形成下電極層，支撐層連接下電極層；4）去除犧牲層；5）對下電極層進行氮離子等離子體擴散工藝，氮離子擴散進入下電極層的內表面及外表面；6）於下電極層的內表面及外表面形成電容介質層，於電容介質層的外表面形成上電極層。通過對下電極層進行氮離子等離子體擴散工藝處理，有效提高了電容器的電連接穩定性及電荷存儲能力，同時降低了電容器的漏電率。

本文源自金融界