深圳天狼芯半導體申請半導體器件及其製備方法專利，改善器件的反向恢復特性

金融界2024年12月25日消息，國家知識產權局信息顯示，深圳天狼芯半導體有限公司申請一項名爲“半導體器件及其製備方法”的專利，公開號CN 119170640 A，申請日期爲2024年9月。

專利摘要顯示，本申請涉及一種半導體器件及其製備方法。該半導體器件包括襯底、第一半導體層、第二半導體層和疊層。通過在第一半導體層和第二半導體層的基礎上設置疊層以形成次級場效應管，並且將疊層中的柵導電層設置成屏蔽柵，由於疊層中的第一柵導電層連接柵極，並且疊層的頂部、第二柵導電層以及疊層中的第二型半導體層均連接源極，在器件處於反向流通狀態時，作用在源極的壓降使次級場效應管導通，從而使反向導通過程中由電子‑空穴的雙極性導通變爲電子的單極性導通，以此抑制空穴的注入，改善器件的反向恢復特性，並且第一型半導體柱和第二型半導體柱之間可以形成耗盡層相互耗盡，進而可以提高器件的擊穿電壓。

本文源自：金融界

作者：情報員