印度、越南 衝刺半導體業

印度總理莫迪（左）與美國總統拜登會面，雙方同意將合建晶圓廠。 （路透）

印度與越南持續積極推動半導體制造產業；印度與美國已協議將合建半導體廠，越南政府也宣佈半導體發展計劃。

印度總理莫迪上週末訪問美國，出席四方安全對話（QUAD）年度峰會。白宮發佈的會議紀錄指出，美國總統拜登與莫迪21日會面之後，同意將合建晶圓廠，用以製造紅外線、氮化鎵及碳化矽半導體。新廠是在印度半導體使命（ISM）專案，以及「Bharat半導體、3rdi科技公司與美國太空軍之間的戰略性科技夥伴關係」的支持下成立。

美印兩國也宣佈將致力於多項資金計劃，透過國際復興開發銀行集資約10億美元，以「催化印度的國內清潔能源供應鏈設施」。

莫迪22日並會晤Google執行長皮伽，輝達執行長黃仁勳及禮來製藥執行長裡克斯。莫迪表示，印度已經有能力發展半導體科技；這次與美國科技業執行長討論科技、創新及更多議題，收穫豐碩。

越南政府週末表示，計劃在2030年之前，至少能擁有一座半導體制造廠，及十座封裝廠，並將啓動一項基金，協助外國投資者緩解全球最低企業稅率所帶來的衝擊。

越南政府22日發表「半導體產業開發策略」聲明指出，越南半導體產業的目標是在2030年能締造250億美元營收，並且在2030年之前能夠擁有5萬名半導體工程人員。

政府計劃到2050年至少擁有三座半導體廠，及20座封裝廠，年營收目標千億美元。