英特爾攜手聯電共同開發12奈米製程平臺 2027年投產

英特爾攜手聯電，衝刺晶圓代工版圖，雙方共同開發12奈米制程平臺，並訂2027年量產。圖/英特爾提供

英特爾衝刺晶圓代工版圖，今日與聯電共同宣佈，雙方將合作開發12奈米制程平臺，以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長。聯電錶示將藉由雙方合作，卡位美國尚欠缺的12奈米成熟製程平臺，承接包括下世代WiFi、行動基地臺及相關行動晶片，並預定在2027年正式投入投產。

這也是英特爾繼與高塔半導體在成熟製程合作後，又一項結合臺廠的聯電，擴大晶圓代工版圖的行動。

英特爾和聯電雙方共同聲明，強調這項長期合作結合英特爾位於美國的大規模製造產能，和聯電在成熟製程上豐富的晶圓代工經驗，以擴充製程組合，同時提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈，協助全球客戶做出更好的採購決策。

英特爾及聯電同步表示，雙方將共同分攤12奈米開發成本，且因英特爾現有生產16奈米制程設備已全數攤提完畢，未來延伸至12奈米，將可填補英特爾現有成熟製程缺口，提供客戶更大的選擇彈性。這項合作也順應地緣政治風險，全新的合作模式。

英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務（IFS）總經理Stuart Pann表示，「幾十年來，臺灣一直是亞洲和全球半導體及廣泛的技術生態系的重要成員，英特爾致力於與聯電這樣的臺灣創新企業合作，爲全球客戶提供更好的服務。英特爾與聯電的策略合作進一步展現了爲全球半導體供應鏈提供技術和製造創新的承諾，也是實現英特爾在2030年成爲全球第二大晶圓代工廠的重要一步。」

聯電共同總經理王石表示，「聯電與英特爾進行在美國製造的12奈米FinFET製程合作，是本公司追求具成本效益的產能擴張，和技術節點升級策略的重要一環，此舉並延續我們對客戶的一貫承諾。這項合作將協助客戶順利升級到此關鍵技術節點，同時受惠於擴展位於北美市場產能帶來的供應鏈韌性。聯電期待與英特爾展開策略合作，利用雙方的互補優勢，以擴大潛在市場，同時大幅加快技術發展時程。」

此項12奈米制程將善用英特爾位於美國的大規模製造能力和FinFET電晶體設計經驗，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的強大組合。受惠於聯電在製程上的領導地位，以及爲客戶提供PDK及設計支援方面的數十年經驗，得以更有效地提供晶圓代工服務。新的製程將在英特爾位於美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠進行開發和製造，透過運用晶圓廠的現有設備將可大幅降低前期投資，並最佳化利用率。

雙方將致力滿足客戶需求，透過生態系合作伙伴提供的電子設計自動化（EDA）和智慧財產權（IP）解決方案，合作支援12奈米制程的設計實現（design enablement）。此12奈米制程預計在2027年投入生產。

英特爾在美國和全球已投資和創新超過55年，除了愛爾蘭、德國、波蘭、以色列和馬來西亞之外，也在美國的俄勒岡州、亞利桑那州、新墨西哥州及俄亥俄州設立或規劃製造基地，以及進行投資。英特爾晶圓代工服務（IFS）在2023年有重大進展，與客戶建立良好的互動，包括採用Intel 16、Intel 3及Intel 18A製程技術的新客戶，拓展其持續成長的晶圓代工生態系。IFS預期在2024年將繼續取得進展。