英特爾2奈米 2024量產

英特爾新技術藍圖及產品線推出時程

半導體大廠英特爾27日召開Intel Accelerated技術說明會併發布全新技術藍圖，宣佈將於2024年進入埃米（angstorm）時代，並推出Intel 20A（2奈米）製程，預期2023年後問世、2024年進入生產。

值得注意的是，臺積電採用奈米層片（nanosheet）技術的GAA架構2奈米制程研發相當順利，預計2024年開始進入量產階段，與英特爾前述製程推出時程相近。業內認爲，多年來臺積電急起直追，至今兩個半導體巨擘在先進製程的推進上，已可以算是「並駕其驅」。至於三星晶圓代工GAA架構「3奈米」製程將於2023年推出，預計2024年進入量產，明顯還落居在後。

業內人士透露，這其中有些技術進度的互爭先後，其實頗耐人尋味，英特爾自己是品牌廠，新制程的開發完成與進入生產、一直到可以大量供貨，其間的時程可以自己微調，但像臺積電這種晶圓代工廠，通常一直要到幫客戶生產出貨纔算數，因此認真「計較」起兩家的先進製程競賽，其實臺積電已經幾乎與英特爾「並轡而行」。

英特爾說明，由於基礎製程創新歷史悠久，推動產業前進並破除限制，在90奈米領銜轉換至應變矽，於45奈米採用高介電金屬閘極（HKMG），於22奈米導入鰭式場效電晶體（FinFET），Intel 20A將進入GAA架構且是另外一個製程技術的分水嶺，提供RibbonFET和PowerVia等兩款突破式創新技術。

英特爾執行長基辛格（Pat Gelsinger）指出，產業早已意識到目前以奈米爲基礎的製程節點命名方式，並不符合自1997年起採用閘極長度爲準的傳統，所以英特爾公佈其製程節點全新命名結構，給予客戶更爲精確的製程節點認知。

英特爾10奈米加強版（Enhanced）SuperFin製程將改名爲Intel 7（7奈米），將會在2021年量產新一代Alder Lake處理器，2022年第一季量產Sapphire Rapids伺服器處理器。原本英特爾7奈米將改名爲Intel 4（4奈米），全面導入EUV微影技術，採用該製程的Meteor Lake處理器及Granite Rapids伺服器處理器將於2023年開始出貨。

Intel 20A製程還包括業界首次實作的背部供電，藉由移除晶圓正面供電所需迴路，以達最佳化訊號傳遞工作。Intel 20A預計將於2024年逐步量產，除了生產英特爾處理器，也會爲高通代工手機晶片。英特爾改良自RibbonFET的Intel 18A已進入開發階段，預計於2025年初問世，將爲電晶體帶來另一次的重大性能提升。