意法半導體與臺積電合作 加速市場採用GaN產品

晶圓代工龍頭臺積電及歐洲IDM大廠意法半導體（ST）20日宣佈，雙方將攜手合作加速氮化鎵（Gallium Nitride，GaN）製程技術的開發，並將分離式與整合式GaN元件導入市場。透過此合作，意法半導體將採用臺積電領先的GaN製程技術來生產其創新與策略性的GaN產品，加速先進功率氮化鎵解決方案的開發與上市，提升寬能隙（WBG）效益以支援功率轉換應用取得更佳節能效益。

GaN是一種WBG半導體材料，相較於傳統的矽基半導體，GaN能夠提供顯著的優勢來支援功率應用，這些優勢包括在更高功率獲取更大的節能效益，以致寄生功耗大幅降低；GaN技術也容許更多精簡元件的設計以支援更小的尺寸外觀。此外，相較於矽基元件，GaN元件切換速度增快達10倍，同時可以在更高的最高溫度下運作，這些強大的材料本質特性讓GaN廣泛適用於具備100V與650V兩種電壓範疇持續成長的汽車、工業、電信、以及特定消費性電子應用產品。