新聞分析－三星緊張爲哪樁？

半導體微影設備大廠ASML搭上極紫外光（EUV）需求，2021年相關設備產能將上看45～50臺。設備業者傳出，臺積電就搶下當中的30臺，剩下的才由英特爾、東芝及SK海力士及三星等競爭對手分食，顯示三星勢必在2021年EUV設備數量上將搶輸臺積電，這也是三星高層爲何少見親自出訪ASML的主要原因。

此外，在設備取得上三星爲了追趕臺積電，傳出希望在次世代的高數值孔徑（high-numerical aperture，High-Na）技術上提前卡位，確保未來1奈米、2奈米制程設備供給充足。

據瞭解，在未來邏輯晶片及DRAM等製程都需要EUV情況下，EUV需求量將大幅增加，特別是在三星同時擁有邏輯晶片及DRAM製程等半導體產能供給需求下，EUV需求量更是龐大，這也是三星高層日前傳出親自出訪ASML的主要原因，不過礙於臺積電已經先行卡位，就算ASML在2021年EUV設備供給想要加大供給力道給三星也無計可施。

不過，未來先進半導體邏輯晶片製程將向下推進到3奈米、2奈米，甚至是1奈米制程，屆時EUV設備將會出現再度升級，其中高數值孔徑技術已經被視爲未來發展趨勢。

因此三星爲了提前卡位佈局高數值孔徑市場，也同步傳出三星有意聯手ASML開發次世代的EUV設備市場。根據ASML先前釋出訊息，高數值孔徑的EUV設備預計在2023年提出原型機，距離商用化至少仍有3年左右時間，因此未來三星是否能卡位成功，仍有待後續觀察。