SK海力士 開發新DRAM晶片

全球第二大記憶晶片製造商SK海力士（SK hynix）29日表示，已開發出業界首見的第六代10奈米的動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片，功耗低於原有款式，繼續搶攻人工智慧（AI）晶片商機。

輝達（NVIDIA）供應商SK海力士表示，已運用其第六代10奈米制程1c節點技術，開發出業界首款名爲16Gb DDR5的晶片，比上一代功率效率提升逾9%，計劃今年底前完成籌備1c DDR5量產，明年大規模出貨。

SK海力士表示，在當前的AI熱潮下，1c DDR5預料將用於高效資料中心，運作速度提高11%，能幫助資料中心降低多達30%的電力成本。SK海力士在2021年7月運用極紫外光（EUV）設備，以1a技術開始量產DRAM，2023年第2季以1b技術展開量產。展望未來，SK海力士計劃把1c技術應用於第七代高頻寬記憶體（HBM）晶片，如HBM4E。

AI記憶體晶片競賽日益升溫。三星電子去年5月表示，以用12奈米制程節點開始量產16 Gb DDR5 DRAM晶片，宣佈今年底前量產第六代的10奈米制程晶片。