SK海力士拚Q4量產第六代DRAM

根據外電指出，SK海力士的第六代DRAM，急於進入量產階段，主要是爲了追趕DRAM市佔第一的三星電子。

而根據三星電子的計劃，也將於在2024年底前將第六代的DRAM進入量產階段。如果SK海力士也能在2024年底前量產，則兩者的量產時間將會不分先後。

市場人士估計，三星與SK海力士在新世代 DRAM的量產時程上，存在有6個月的時間差距；而達到90％的良率，則存在有一年的差距，因此，SK海力士正在努力追趕，進一步縮短落差。

在高頻寬記憶體（HBM）上，SK海力士則有領先優勢，SK海力士2024及2025年的HBM產能，幾乎銷售一空；惟三星年初宣佈要擴產HBM，還搶了輝達的訂單，也引起SK集團高度緊張。

HBM需要高性能DRAM產品的支援，減少與三星在DRAM市場上的差距，對SK海力士在HBM市場地位的穩定，至關重要。

根據外電報導，在第六代DRAM的量產進度確定後，大規模量產需要的EUV曝光設備的投資需求，也緊接而來。

在第六代DRAM生產上，共有六層曝光階段，需要使用EUV曝光機，這是前一代（1b）DRAM的2倍數量，更是第四代（1a）DRAM的6倍。