光刻機如印鈔機 艾司摩爾是怎樣崛起成全球唯一
在晶片領域，有一樣叫光刻機的設備，不是印鈔機，但卻比印鈔機還珍貴。歷數全球，也只有荷蘭一家叫做艾司摩爾（ASML）的公司集全球高階製造業之大成，一年時間造的出二十臺高階設備，臺積電與三星每年爲此搶破了頭。
但其實，早在上世紀80年代，艾司摩爾還只是飛利浦旗下的一家合資小公司。全司上下算上老闆31位員工，只能擠在飛利浦總部旁臨時搭起的板房裡辦公。一出門就能看到板房旁邊一隻巨大的垃圾桶。出門銷售，也只能頂着母公司的名義，在對手的映襯下，顯得弱小、可憐，又無助。
不過說起來，作爲半導體行業「皇冠上的明珠」，光刻機的本質其實與投影儀+照相機差不多，以光爲刀，將設計好的電路圖投射到矽片之上。在那個晶片製程還停留在幾十奈米的時代，能做光刻機的企業，少說也有數十家，而尼康憑藉着相機時代的積累，在那個日本半導體產業全面崛起的年代，正是當之無愧的巨頭。
短短四年，就將昔日光刻機大國美國拉下馬，與舊王者GCA平起平坐，拿下三成市場市佔。手裡幾家大客戶英特爾、IBM、AMD、德州儀器，每天排隊堵在尼康門口等待最新產品下線的熱情，與如今大家眼巴巴等着艾司摩爾EUV光刻機交貨的迫切並無二致。
但誰也不曾想，二十年不到，風光對調，作爲美國忠實盟友的艾司摩爾一躍翻身，執掌起代工廠的生殺大權，更成爲大國博弈之間的關鍵殺招。「如果我們交不出EUV，摩爾定律就會從此停止」，艾司摩爾如是說。
從市場角度出發，作爲上世紀九十年代最大的光刻機巨頭，尼康的衰落，始於那一回157奈米光源幹刻法與193奈米光源溼刻法的技術之爭。
背後起主導作用的，是由英特爾創始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出的一個叫做摩爾定律的產業規範：積體電路上可容納的元器件的數量每隔18至24個月就會增加一倍（相應的晶片製程也會不斷縮小）。而每一次製程前進，也會帶來一次晶片性能性能的飛躍。
這是對晶片設計的要求，但同時也在要求光刻機的必須領先設計環節一步，交付出相應規格的設備來。
幾十奈米時代的光刻機，門檻其實並不高，三十多人的艾司摩爾能輕易入局這個行業，連設計晶片的英特爾也可以自己做出幾臺嚐嚐鮮，難度左右不過是把買回來的高價零件拼拼湊湊，堆出一臺難度比起照相機高深些許的設備。
尼康與他們不同的是，對手靠的是產業鏈一起發力，而尼康的零件技術全部自己搞定，就像如今的蘋果，晶片、操作系統大包大攬，隨便拿出幾塊鏡片，應付晶片製程是綽綽有餘的。
但造晶片也好，造光刻機也好，關卡等級其實是指數級別增加的，上世紀90年代，光刻機的光源波長被卡死在193奈米，成爲了擺在全產業面前的一道難關。
雕刻東西，花樣要精細，刀尖就得鋒利，但是要如何把193奈米的光波再「磨」細呢？大半個半導體業界都參與進來，分兩隊人馬躍躍欲試：尼康等公司主張用在前代技術的基礎上，採用157奈米的 F2雷射，走穩健道路。
新生的EUV LLC聯盟則押注更激進的極紫外技術，用僅有十幾奈米的極紫外光，刻十奈米以下的晶片製程。
但技術都已經走到這地步，不管哪一種方法，做起來其實都不容易。
這時候臺積電一個叫做林本堅的天才工程師出現了：降低光的波長，光源出發是根本方法，但高中學生都知道，水會降低光的波長——在透鏡和矽片之間加一層水，原有的193奈米激光經過折射，不就直接越過了157奈米的天塹，降低到132奈米了嗎！
林本聰拿着這項「沉浸式光刻」方案，跑遍美國、德國、日本等國，遊說各家半導體巨頭，但都吃了閉門羹。甚至有某公司高層給臺積電營運長蔣尚義捎了句狠話，讓林本堅「不要攪局」。
畢竟這只是理想情況，在精密的機器中加水構建浸潤環境，既要考慮實際性能，又要操心污染。如果爲了這一條短期替代方案，耽誤了光源研究，吃力不討好只是其次，被對手反超可就不好看了。
當時尚是小角色的艾司摩爾決定賭一把，相比之前在傳統乾式微影上的投入，押注浸潤式技術更有可能以小搏大。於是和林本堅一拍即合，僅用一年時間，就在2004年就拚全力趕出了第一臺樣機，並先後奪下IBM和臺積電等大客戶的訂單。
尼康晚了半步，很快也就亮出了乾式微影157奈米技術的成品，但畢竟被艾司摩爾搶了頭陣，更何況波長還略落後於對手。等到一年後又完成了對浸潤式技術的追趕，但已經落後就難再追了
兩千年初踏錯了幹刻溼刻的選擇之前，其實早於1997年，在尼康被EUV LLC排擠在外時，就已經註定瞭如今光刻機市場一家獨大的結局。
當年爲了嘗試突破193奈米，英特爾更傾向於激進的EUV方案，於是早在1997年，就攢起了一個叫EUV LLC的聯盟。聯盟中的名字個個如雷貫耳：除了英特爾和牽頭的美國能源部以外，還有摩托羅拉、AMD、IBM，以及能源部下屬三大國家實驗室：勞倫斯利弗莫爾國家實驗室、桑迪亞國家實驗室和勞倫斯伯克利實驗室。
資金到位，技術入場，人才雲集，但偏偏聯盟中的美國光刻機企業SVG、Ultratech早在80年代就被打得七零八落。於是，英特爾想拉來尼康和艾司摩爾一起入夥。但問題在於，這兩家公司，一個來自日本，一個來自荷蘭，都不是本土企業。
偏偏，美國政府又將EUV技術視爲推動本國半導體產業發展的核心技術，並不太希望外國企業參與其中。
但EUV光刻機又幾乎逼近物理學、材料學以及精密製造的極限。光源功率要求極高，透鏡和反射鏡系統也極致精密，還需要真空環境，配套的抗蝕劑和防護膜的良品率也不高。別說是對小國日本與荷蘭，就算是美國，想要一己之力自主突破這項技術，也是癡人說夢。
爲了表現誠意，艾司摩爾同意在美國建立一所工廠和一個研發中心，以此滿足所有美國本土的產能需求。另外，還保證55%的零部件均從美國供應商處採購，並接受定期審查。
美國能源部最後和艾司摩爾達成了協議，允許其加入EUV LLC，共同參與開發，共享研究成果。6年時間裡，EUV LLC的研發人員發表了數百篇論文，大幅推進了EUV技術的研究進展。
分享技術只是一方面，其後美國還送給艾司摩爾一份大禮。2009年，美國的Cymer公司研發出EUV所需的大功率光源，成爲艾司摩爾的供應商，更在四年後以25億美元高價直接被併購。這可是光刻機的核心零件，這樣頂尖的技術，全球範圍也不超過三家。
毫不誇張的說，艾司摩爾雖然是一家荷蘭企業，但崛起的背後，其實是一場地地道道的美國式成功。
2012年，英特爾連同三星和臺積電，三家企業共計投資52.29億歐元，先後入股艾司摩爾，以此獲得優先供貨權，結成緊密的利益共同體。
終於，在2015年，第一臺可量產的EUV樣機正式發佈。當年只要能搶先拿到機器開工，就相當於直接開動了印鈔產線，EUV光刻機也成爲目前的主流製程技術。