《半導體》聯電攜英特爾開發12奈米制程 預計2027年投產

雙方合作開發的12奈米制程，將善用英特爾在美國的大規模產能及FinFET電晶體設計經驗，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的強大組合。新制程將於英特爾美國亞利桑那州OTF的12、22和32廠開發製造，運用現有設備大幅降低前期投資，並最佳化稼動率。

聯電錶示，公司與英特爾將致力滿足客戶需求，透過生態系合作伙伴提供的電子設計自動化（EDA）和智慧財產權（IP）解決方案，合作支援12奈米制程的設計實現（design enablement）。此12奈米制程預計在2027年投產。

聯電指出，此項長期合作結合英特爾位於美國的大規模製造產能，及聯電在成熟製程上豐富的晶圓代工經驗，藉此擴充製程組合，同時提供更佳的區域多元且具韌性的供應鏈，協助全球客戶做出更好的採購決策。

英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務（IFS）總經理Stuart Pann表示，集團致力與聯電等臺灣創新企業合作，提供全球客戶更好的服務。雙方策略合作進一步展現對全球半導體供應鏈提供技術和製造創新承諾，也是實現英特爾2030年成爲全球第二大晶圓代工廠的重要一步。

聯電共同總經理王石表示，聯電與英特爾進行在美國製造的12奈米FinFET製程合作，是聯電追求具成本效益的產能擴張、和技術節點升級策略的重要一環，此舉並延續集團對客戶的一貫承諾。

王石指出，此項合作將協助客戶順利升級到此關鍵技術節點，同時受惠於擴展位於北美市場產能帶來的供應鏈韌性。聯電期待與英特爾展開策略合作，利用雙方互補優勢擴大潛在市場，同時大幅加快技術發展時程。