《半導體》聯電結盟英特爾 TrendForce估創雙贏

聯電與英特爾25日晚間共同宣佈將攜手開發12奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程，以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長。此製程將於英特爾美國亞利桑那州OTF的12、22和32廠開發製造，預計於2027年投產。

TrendForce指出，英特爾擁有先進製程技術，長期以來聚焦製造中央處理器（CPU）及繪圖晶片（GPU）等核心晶片，2021～2022年先後宣佈IDM 2.0及併購高塔半導體（Tower）計劃，欲積極進入晶圓代工產業，但併購高塔半導體計劃執行受阻。

而聯電長期聚焦發展28奈米及22奈米主力製程，並擁有高電壓等特殊技術優勢。然而，在中國大陸晶圓廠挾帶大量資源強勢發展成熟製程趨勢下，迫使聯電重新思考跨入FinFET世代必要性，計劃卻又受限於FinFET架構的高額投資成本而舉棋不定。

TrendForce認爲，雙方合作由聯電提供多元化技術服務、英特爾提供現成工廠設施，採雙方共同營運，可幫助英特爾銜接自IDM轉換至晶圓代工的業務模式，擴大製程調度彈性及多元性、獲取晶圓代工營運經驗，並可集中資源於3奈米、2奈米等更先進製程開發。

對聯電而言，除了不須負擔龐大資本支出即可靈活運用FinFET產能，自中國大陸成熟製程的激烈競局中另謀生路，同時藉由共同營運英特爾美國廠區，也能間接拓展全球產能佈局，分散地緣政治風險，合作案對雙方應爲雙贏局面。

而聯電與英特爾規畫運用現有廠區產能，以大幅降低前期投資、最佳化稼動率。TrendForce預估，相較於購置全新機臺，採取此模式僅需設備機臺移裝機的廠務二次配管費、以及相關小型附屬設備等支出，平均投資金額估可節省達逾8成。

若雙方在12奈米FinFET製程平臺的後續合作順利，TrendForce預期，英特爾可能考慮未來再將1～2座1×奈米等級的FinFET廠區與聯電共同管理，推測相近製程的Ireland Fab24、Oregon D1B/D1C爲可能的候選廠區。

不過，做爲主要技術智慧財產權（IP）提供者的聯電，其14奈米自2017年至今尚未正式大規模量產，12奈米目前仍在研發階段，預計2026年下半年將進入量產。因此，雙方的合作量產時程暫訂於2027年，FinFET架構技術穩定性仍待觀察。

整體而言，TrendForce認爲，聯電在成熟製程深耕多年，與擁有先進技術的英特爾共同合作，雙方除了在10奈米等級製程獲得彼此所需資源，在各自專精領域上是否會有更深入的合作，未來亦值得關注。