英特爾確認從《芯片法案》獲得30億美元直接撥款，用於“安全飛地”計劃

英特爾宣佈，已根據《芯片法案》獲得高達30億美元的直接撥款，用於“安全飛地（Secure Enclave）”計劃，旨在爲美國政府擴大對尖端半導體的可信製造。該計劃是建立在英特爾與美國國防部之前合作的項目之上，比如“快速保障微電子原型-商業項目（RAMP-C）”和“先進異構集成原型（SHIP）”，英特爾將確保美國國內芯片供應鏈的安全，與美國國防部合作推進安全、尖端的解決方案，幫助增強美國技術系統的彈性。

英特爾在今年初，與美國商務部簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），後者將根據《芯片法案》向英特爾提供約85億美元的直接撥款，另外還有最高110億美元的貸款。《芯片法案》的資助旨在提高美國的半導體制造和研發能力，特別是在尖端半導體方面，顯然英特爾需要在美國本土建造合格的製造基地。

不過英特爾表示，這次通過“安全飛地”計劃得到的獎勵與年初跟美國商務部簽署的擬議資助協議是分開的。英特爾的新公告證實了數天前的媒體報道，即英特爾通過爲美國軍方生產滿足戰略防禦需求的先進半導體，從而獲得聯邦撥款。

近年來，英特爾與美國國防部已展開了密切的合作：2020年“先進異構集成原型”計劃第二階段，美國政府使用了英特爾在亞利桑那州和俄勒岡州的先進半導體封裝能力，並利用了英特爾大量研發和製造投資；2023年英特爾交付了“先進異構集成原型”計劃第一批多芯片封裝原型；2021年英特爾與美國國防部簽署了一項協議，其英特爾代工服務事業部（IFS）將爲“快速保障微電子原型-商業項目（RAMP-C）”的多個階段提供商業代工服務。

英特爾表示，該公告反映了英特爾代工的持續進步，彙集了客戶設計和製造前沿芯片所需的所有組件，而且在不斷推進亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州工廠的關鍵半導體制造和研發項目，而最先進的Intel 18 A工藝也有望於2025年量產。