美光將從《芯片法案》獲得61.65億美元補貼

今年4月，美光與美國商務部簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據《芯片法案》提供約61.4億美元的直接撥款，另外還有75億美元的貸款，以提高美國在尖端存儲半導體生產方面的競爭力。

美光宣佈，美國商務部已根據《芯片法案》爲其商業半導體制造項目提供61.65億美元的直接撥款達成了協議。這部分資金將用於獎勵美光在2022年10月宣佈的計劃，包括20年內向紐約克萊工廠投資約1000億美元，以及向愛達荷州投資250億美元，計劃到2035年將美國先進存儲器製造業的比例從不到2%提高到10%左右。預計這些項目將在美國創造約2萬個就業崗位，另外美光還計劃2030年之前投入約500億美元，專注於開發更先進的存儲半導體技術。

此外，美國商務部已經與美國簽署了一份條款初稿，將額外提供2.75億美元資金，用於擴建美國位於弗吉尼亞州馬納薩斯的工廠。這項20億美元的投資，旨在將美光的1-alpha技術帶回美國。1-alpha技術於2021年推出，用於最新的LPDDR5 DRAM芯片。

美光總裁兼首席執行官Sanjay Mehrotra表示：“作爲唯一一家總部位於美國的內存製造商，美光具有獨特的優勢，可以將領先的內存製造業帶回美國，加強美國的技術領先地位，並促進先進技術的創新。”