涉嫌對華泄露半導體技術 前三星電子工程師被捕送檢法辦

韓國警方逮捕64歲的前三星電子工程師，因其涉嫌向中國半導體廠泄露20奈米DRAM工藝技術。（圖／Shutterstock)

一名涉嫌挖走大批三星半導體核心技術人才並向大陸半導體企業泄露製程工藝技術的工程師，遭韓國警方以涉嫌違反《就業保障法》予以逮捕並移送法辦。這名工程師泄露了半導體制造關鍵技術，讓成都高真科技公司得以在建廠後只用1年3個月的時間製造出通常要4~5年才能完成試產的晶圓。

據韓聯社報導，韓國首爾警察廳產業技術安全偵查隊表示，64歲的前三星電子工程師A某因涉嫌向成都高真科技公司泄露三星自研20奈米DRAM工藝技術，並涉嫌擔任半導體技術掮客，遭警方以違反《就業保障法》逮捕，並移送至首爾中央地方檢察廳法辦。

報導說，A某曾以顧問身份參與成都高真的成立工作，其間在國內開設獵頭公司，並以至少2至3倍的報酬挖走三星電子核心技術人才。這些人員基於半導體專業技術在大陸建造DRAM製造廠，工廠建成後於2022年4月成功生產半導體晶圓。該廠從竣工到投產僅耗時1年零3個月，而試點晶圓生產通常需要4到5年。

韓國警方表示，受損技術的經濟價值爲4.3兆韓元（約合臺幣982億元），如果考慮到經濟影響，實際損失金額將超過這一數字。除A某外，還有2名利用相同手法挖走韓國半導體專業人才的獵頭公司代表以及1家法人也被送檢。據悉，這些獵頭公司爲成都高真挖來的技術人員超過30人。

儘管案清涉及國家關鍵技術泄露，但韓國警方此次僅適用《就業保障法》而非《產業技術保護法》，處罰力度較輕。警方稱，根據現行法律，以「挖角人才」方式泄露技術的行爲不屬於《產業技術保護法》規定的處罰對象，因此有必要修改相關法律，對產業間諜行爲予以嚴懲。

報導說，包括A某在內共21人被送檢，成都高真技術泄露案由此結案。成都高真代表、前三星電子常務崔某等人涉嫌《產業技術保護法》、《防止不正當競爭及商業秘密保護法》，已於9月被捕送檢。