涉嫌對陸洩漏晶片技術 三星前高管和前首席研究員被捕

位於南韓京畿道水原市的三星電子總部前飄揚三星商標旗幟和南韓國旗。路透社

綜合韓聯社和朝鮮日報報導，首爾警察廳產業技術安全偵查隊6日消息指出，66歲前三星電子常務、前SK海力士副社長崔珍奭（音同是），及60歲前首席研究員吳某涉嫌對中國大陸泄漏晶片核心技術被捕。

崔珍奭曾任三星電子常務、海力士半導體（現SK海力士）副社長，吳某則曾任三星電子首席研究員。他們涉嫌違反「產業技術法」和「防止不正當競爭及商業秘密保護法」，將生產20奈米制程晶片所需的溫度、壓力等700多個工藝流程圖，泄漏給大陸成都高真科技公司進行產品研發。據悉，高真科技公司是崔珍奭2021年獲得投資後創立，而吳某出任該公司高管。

南韓警方早在今年1月申請逮捕吳某但被駁回。警方之後補充偵查，再次提請逮捕，並一同逮捕崔珍奭。首爾中央地方法院日前批准逮捕。警方計劃具體調查泄密過程，及是否因此獲取經濟利益等。

不過，朝鮮日報指出，崔珍奭去年6月就曾因涉嫌竊取三星電子晶片工廠設計圖，並意圖開設20奈米制程動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片的「三星電子複製工廠」而被拘留，於去年11月保釋出獄。