美參院投票通過《創新與競爭法案》 逾5兆元投入半導體等技術研製
▲拜登寄望在半導體的研製上能掌握關鍵先進技術，以抗衡中國的擴張。（圖／路透）
美國參議院於美東時間週二（8日）表決，以68票對32票，通過金額超過2000億美元的《美國創新與競爭法案》，以加速美國的半導體、量子科學以及高端先進技術的革新，抗衡中國近年崛起的經濟和軍事擴張。
根據路透社報導，這項匯聚兩黨共識的法案估計授權1900億美元（約新臺幣5.24兆元），提供美國加強科技和科學研究的項目，另外會單獨通過520億美元（約新臺幣1.44兆元）的投資，投入半導體和通訊設備的研製。參議院通過該法案後，衆議院也必須通過纔會遞交給總統拜登簽署法案。
這項法案主要分爲4點，包括投入520億美元支持全國半導體研發製造，在本土進行零組件生產；在2022經濟年度至2026經濟年度間，授權810億美元（約新臺幣2.24兆元）給國家科學基金會，用於人工智慧、量子科學等領域進行研發；授權169億美元（約新臺幣4685億元）供能源部進行能源產業鏈關鍵科技領域相關的研發；還有禁止美國外交官參與2022年的北京冬季奧運。
此前民主黨籍參議院多數黨領袖舒默（Chuck Schumer）表示，中國共產黨在在半導體生產方面的投資相當積極，投入了1500億美元（約新臺幣4.14兆元）進行研發製造，企圖控制先進技術。而舒默和其他參議員們皆希望《美國創新與競爭法案》能讓不只美國本土的晶片製造上，就連外國的晶片製造商都能在美國進行該領域最先進技術的研製，目前全球半導體制造掌握最先進技術的就是南韓三星和臺灣台積電。