連兩年創高！臺積電大幅上調資本支出至280億美元 法人驚豔
▲臺積電法說會宣佈大幅上調資本支出，連兩年創高。（圖／資料照）
臺積電（2330）今（14）日宣佈，資本支出預計介於250億美元到280億美元，突破去年前高172億美元，連兩年創高，且較去年大增45%-62%，優於法人預期。臺積電表示，今年資本支出，80%會使用在先進製程，包含3奈米、5奈米及7奈米技術等；10%用於先進封裝及光罩製作；另外10%用於特殊製程。
臺積電總裁魏哲家表示，投入年度資本支出是基於對未來數年成長的預期所規劃，主要考量四大原則：技術領先、彈性並反應需求的製造能力、保有客戶信任、獲取適當的報酬。
魏哲家表示，臺積電長期資本密集度約落在「mid-thirties（35%左右）」百分比區間，但當臺積電要進入一個成長幅度更高的區間，我們必須先投入資本支出，業績纔會隨之成長，在此情況下，我們的資本密集度會更高。
魏哲家舉例臺積電在過去資本支出投入情況，他說，像是2010年到2014年間，臺積電的資本支出相較前幾年增加三倍，我們當時的資本密集度約爲38%到50%，也因此，臺積電得以把握成長的機會，並在2010年 到2015年間可以有15%的年複合成長率。
魏哲家表示，如今，臺積電進入到另一個高成長區間，公司認爲較高的資本密集度在目前這階段是適切的，並可以幫助公司掌握未來成長的機會。預期因5G及高速運算（HPC）相關應用的產業大趨勢在未來幾年將爲公司帶來更高的年複合成長率。
魏哲家表示，當先進製程資本支出因製程複雜度而持續增加時，預期透過持續強調公司的價值，包含所提供的技術、服務、品質，產能支援以及致力成本優化，能夠得到相對應的報酬。
法人表示，臺積電大幅調高資本支出是這次法說會主要亮點之一，臺積電近年持續擴大先進製程相關之資本支出，以維持臺積電技術的領先優勢及攸關其競爭力所在，亦看好中長期5G/HPC成長潛力。