聯電、英特爾合作效應 法人看好2027年發酵

聯電（2303）、英特爾共同宣佈在美國合作開發12nm製程平臺，預計在2027年投入生產。法人機構表示，對聯電而言，不用投資大筆資金在新晶圓廠，並且可增加美國據點，利用雙方互補優勢，擴大潛在市場，同時加快技術發展時程，但預估相關效益2027年纔會開始浮現。

分析師表示，聯電和英特爾共同宣佈，雙方將合作開發12nm製程平臺，以因應行動、通訊基礎建設和網路等市場的快速成長，合作開發的12nm製程預計在2027年投入生產。

新的製程將在英特爾位於美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22 和32廠進行開發和製造，透過運用晶圓廠的現有設備將可大幅降低前期投資，並最佳化利用率。

雙方將致力滿足客戶需求，透過生態系合作伙伴提供的電子設計自動化和智慧財產權（IP）解決方案，合作支援12 nm製程的設計實現。此12nm製程預計在2027年投入生產。

此12nm製程將善用英特爾位於美國的大規模製造能力和FinFET電晶體設計經驗，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的強大組合。受惠於聯電在製程上的領導地位，以及爲客戶提供PDK及設計支援方面的數10年經驗，得以更有效地提供晶圓代工服務。

法人機構指出，聯電和英特爾合作，將可以快速有效率取得12nm製程，且拓展美國據點，但公告沒有明確指出合作後的利益分配，以及中美企業的職場文化不同，是否順利合作都有待觀察，且在2027年纔開始投產，短期貢獻有限，聯電現在大部份營收仍來自成熟製程，將持續面臨中國大陸的競爭。

目前聯電車用電子進入庫存調整期，但在汽車電子化和自動駕駛驅動下，預期車用IC含量將持續增加，車用產品將是聯電未來重要營收來源和成長主動能。車用晶片業務在2023年預估佔公司營收比重爲14~16%，2024年將持續成長。此外，聯電將專注於跨邏輯和特殊製程平臺差異化方案，如eHV、RFSOI、BCD，以提升未來業務成長，並擴大集團的產業影響力，預估今年每股獲利約5.1元。