《半導體》聯電、力旺合作RRAM可靠度驗證 續開發車用規格

力旺提供的8Mb RRAM IP具備額外的16Kb資訊儲存區塊，和內部修復與錯誤偵測／修正等關鍵功能，可用於物聯網（IoT）設備中的微控制器（MCU）和智慧電源管理晶片的編碼儲存，還可以支援人工智慧（AI）的記憶體內運算架構。

而聯電則提供22奈米的0.8V/2.5V RRAM平臺，具備使用較少的光罩層數、較短的生產週期和更容易與雙極互補擴散金氧半導體（Bipolar-CMOS-DMOS, BCD）、高壓等特殊製程整合等優勢。

RRAM不需對前端製程做額外調整，並採用低溫後端製程，幾乎不會產生額外熱預算。與分離閘快閃記憶體（split-gate Flash）相比，RRAM具相對簡單結構、使用較少層光罩、較友善製程和更高的CMOS製程兼容性，在汽車應用中較MRAM擁有更佳的抗磁能力。

力旺技術長林慶源表示，對40、22奈米和高階製程而言，RRAM是不可或缺的多次編程嵌入式記憶體選項。力旺的下個RRAM開發目標是對應汽車應用需求，在22奈米0.8V/2.5V平臺實現更高的儲存密度、更快的速度、更高的寫入溫度耐受度和持續提升的覆寫能力。

林慶源指出，力旺將繼續推進在0.8V/1.8V超低功耗（ULP）上的開發。憑藉用於讀取和寫入模式的低工作電壓，力旺的RRAM將成爲主流技術平臺上最具成本效益的eFlash解決方案，並可擴展至更多製程節點。

聯電技術開發部副總徐世傑表示，隨着AIoT應用拓展，市場對低功耗非揮發性記憶體的需求漸增。力旺IP成功在聯電22奈米RRAM平臺完成驗證，提供客戶開發下一代產品更強大的記憶體解決方案。很高興與力旺合作，持續強化AIoT與車用市場的嵌入式記憶體方案。