增幅最高達100%！兩大存儲龍頭上調明年設備投資 復甦預期下出貨量目標同步增長

《科創板日報》12月18日訊 復甦預期加持下，三星、SK海力士兩大投資巨頭正在籌劃調高2024年半導體設備投資額及出貨量目標。

據今日ET News消息，三星2024年計劃半導體設備投資額達到27萬億韓元，同比增長25%；SK海力士則計劃投資5.3萬億韓元，同比增長100%。

存儲芯片具體投資方向上，三星電子和SK海力士正準備投資以DDR5和HBM爲主的設備；同時，前者計劃大規模投資3nm和2nm等超精細工藝。

至於出貨量方面，三星計劃將DRAM與NAND產量分別較今年提高24%。SK海力士同樣在謀劃擴產，擴產重點將是HBM等高端DRAM產品，公司擬將DRAM產量提高到減產前水平，即去年年底前水平。

去年底開始，三星與SK海力士開始大幅減產，彼時工廠開工率甚至低至50%。而新的一年，這兩家存儲巨頭的DRAM將與減產前持平甚至更高，NAND則仍低於減產前水平。

據悉，三星與SK海力士增加設備投資及產量的最主要原因，還是爲了行業狀況改善做準備。

值得一提的是，韓國金融投資業界近日一致上調了三星電子和SK海力士兩家存儲龍頭的Q4業績預期：SK海力士有望結束連續4個季度的營業赤字，今年Q4將實現1000億韓元左右的盈利；三星電子也有望在明年Q1扭虧爲盈。

實際上，復甦之風有望吹遍整個存儲芯片行業，摩根士丹利上週報告就指出，PC與智能手機制造商正積極建立存儲芯片庫存，明年Q1存儲芯片的價格有望大幅上漲。

根據其援引的TrendForce預期數據，明年Q1，DRAM及NAND價格環比增幅均有望達到18%-23%——相較TrendForce此前預期（DRAM價格環比增長8%-13%、NAND 5%-10%），最新的預計增幅翻倍不止，上調了10-13個百分點。

存儲廠商威剛也表示，看好明年內存價格將持續正向發展，“內存多頭市場才正要開始”。現階段上游的減產計劃維持，漲價態度強勢，不只Q4的NAND Flash調漲幅度與頻率超乎預期，明年Q1也預期有相當的漲價空間。