憂臺灣市場落後 專家籲國際合作

專家認爲，臺灣在這塊市場蠻有機會，建議可以從「擴大國際合作」着手。圖爲民衆欣賞特斯拉Model 3。（美聯社）

政府開始扶植第三代半導體（化合物半導體）設備國產化起跑，專家認爲，臺灣在這塊市場蠻有機會，但是目前落後在美國、甚至急起直追的中國後面，「要加速、加快才行」，建議可以從「擴大國際合作」着手。

工研院產業科技國際策略發展所研究總監楊瑞臨說，化合物半導體市場還在起飛階段，以臺灣來說，開發電動車、5G基地臺，廠商生產的化合物半導體元件、設備、基板，都要從國外進口。這塊市場目前美國執牛耳，其他還有日本、德國等，國內應該要先做「進口替代」。

晶圓做成矽晶棒的過程叫做「長晶」，是最基本也是最困難的地方。而第三代半導體的碳化矽（SiC），長晶爐雖然臺灣可以買的到，可是楊瑞臨形容，就像義大利賣橄欖油，最好的留在國內，次級品再出口。同樣道理，長晶爐買到通常是標準型，重要零組件很難買到，影響所及，就是良率跟品質較差。

金屬工業研發中心主管表示，國外趨勢目前也是鎖定長晶爐，這是可以搶佔市場的先機，臺灣如果不自己發展，以後可能碰到國外大廠好的優先留着自己用，對我們不利。

楊瑞臨說，去年化合物半導體4吋是主流， 6吋則是慢慢量產階段。國際上本來預估，8吋成爲主流市場要花點時間，但現在幾乎每一家都喊要推出產品，而臺廠目前8吋都還沒有，「我們產業要家加速、加快才行！」

楊瑞臨表示，碳化矽生產我們不僅落後美國，也落在灑下龐大資金急起直追的中國後面，目前政府力道還是不夠，廠商也需要自己加碼投資。他強調，除政策補助、廠商投資，有一個重要策略要去做，就是「擴大國際合作」。當然，國外大廠未必理我們，但策略上可以找出中小型企業、學研單位，來做介接與合作。

楊瑞臨強調，化合物半導體如果有自制能力，也就有談判合作的籌碼。而長晶爐就是戰略性資產，要從上游先建立起來。