突破光刻機“卡脖子”到底難在哪？
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導語：最近清華大學SSMB同步輻射EUV光源的熱度相當高，很多人都以爲中國已經解決了光刻機中最核心的光源技術，就可以彎道超車，打臉ASML。那麼事實真的如此嗎？
一、2年前發表的SSMB論文突然火了
2021年2月25日，清華大學工程物理系的唐傳祥教授的研究組與來自德國亥姆霍茲柏林材料與能源研究中心(HZB)，以及德國聯邦物理技術研究院（PTB）的合作團隊在《自然》（Nature）上發表了題爲“穩態微聚束原理的實驗演示”的研究論文。報告了一種新型粒子加速器光源“穩態微聚束” （Steady-state microbunching，SSMB）的首個原理驗證實驗。
SSMB概念是2010年由斯坦福大學教授、清華大學傑出訪問教授趙午與其博士生Daniel Ratner提出。
2017年唐傳祥與趙午牽頭聯合中、德、美等國家的科研人員，成立了國際SSMB研究組，開始推動包括SSMB原理驗證實驗在內的各項研究。唐傳祥研究組主導完成了實驗的理論分析和物理設計，並開發測試實驗的激光系統，與合作單位進行實驗，並完成了實驗數據分析與文章撰寫。
SSMB這個技術可以用於製備各種大功率窄帶寬的相干輻射光，可用於科研或者工業場景。其中就包括了EUV（極深紫外線）光刻機所需要的13.5nm的波長的極紫外光。
“SSMB光源的潛在應用之一是作爲未來EUV光刻機的光源，這是國際社會高度關注清華大學SSMB研究的重要原因。”唐傳祥教授說
二、 光源是光刻機的基礎組件
光刻機演進是隨着光源改進和工藝創新而不斷髮展的，其實並非ASML製造的每個光刻系統都採用EUV設備，截至目前，DUV（深紫外線）仍然是半導體行業的主力設備之一。爲什麼光刻機所用的光源波長越來越短？
1.光刻機到底需要什麼樣的光？
光刻分辨率是光刻曝光系統最重要的技術指標之一，爲了實現更精確的光刻，就必須要提高分辨率，那就只有兩種方法，分別是減少光源波長或提高數值孔徑。換句話說，短波長光源、大數值孔徑透鏡是提高光刻機曝光分辨力的最有效方法！
DUV（深紫外線）和EUV（極深紫外線）最大的區別在光源方案。EUV的光源波長爲13.5nm，但最先進DUV的光源波只有193nm，較長的波長使DUV無法實現更高的分辨率，因此DUV只能用於製造7nm及以上製程的芯片。DUV涵蓋了大部分數字芯片和幾乎所有的模擬芯片。然而，隨着先進製程向5nm及以下先進製程進化，EUV成爲了剛需。
2.SSMB爲什麼是EUV光刻機的潛在光源之一？
SSMB全稱是穩態微聚束，是一種加速器光源，光刻機就需要這樣的高質量的輻射光，而加速器光源就可以產生這種高質量的輻射光。依靠的是電子束在加速時發射出輻射，然後通過電磁手段來增強輻射光的橫向和縱向相干性，以達到想要的光源效果。
藍色的是存儲環，含有大量的被加速到很快的電子束。會週期性的經過波盪器產生同步輻射，而這個波盪器中，會有一個激光來調製電子束，可以進行縱向的聚焦，從而讓電子束的長度小於縱向相干長度，提升相干性。
而經過激光調製後，會經過一個色散結對電子束的能量進行分組，讓不同能量的電子沿着不同的路徑移動，於是就形成了所謂的微聚束，這樣的微聚束結構，就可以用來生產高相關性的輻射光。
根據論文報告基於SSMB的EUV光源有望實現大的平均功率，這個光源脈衝穩定光束比較小，並具備向更短波長擴展的潛力，而且波長相關性好。爲大功率EUV光源的突破提供全新的解決思路。
同步輻射就是利用磁場加速電子形成環形電流，在環形電流的切線方向產生同步輻射的電磁波。電流越大，電磁波強度越大，還可以根據需要來調整或者選擇電磁波的波長，能量準直性。
光波也屬於電磁波的一種，而且同步輻射一般還都是X射線，比現在光刻機最短波長EUV極紫外光波長還要短，能量更高，準直性也更好，能夠更好的聚焦能量。
高能同步輻射光源實驗室我國可不缺，中國目前分別在北京、合肥，上海建成的有3臺同步輻射光源實驗室，武漢，深圳、還有北京懷柔都在建第四代同步輻射光源。
如果能用同步輻射來做光刻機光源，是不是就可以突破光刻機“卡脖子”了？
三、 國產高端光刻機“卡脖子”難題並不是光源
根據對外的公開報道，其實很久以來北京和合肥的同步輻射儀器上都有專門的光刻實驗線站，在做專項研究。武漢在建的同步輻射線站在設計之初就已經把極紫外光刻實驗站納入了規劃。
在國外俄羅斯也曾經嘗試過利用同步輻射提供光刻機光源， 2022年莫斯科電子技術學院與工業跟貿易部簽訂了價值6.7億盧布大概約780萬美元的合同。用於開發基於同步加速器和等離子體源的無掩膜X射線光刻機。另外英特爾從10年前就一直在做這方面的基礎研發。
SSMB-EUV從光刻機的角度講，並沒有實際應用於半導體的光刻驗證，依然處於這個早期的發展階段。只能理解比較有潛力作爲EUV光源的一種方案。
EUV光源分爲兩種，通過紫外線產生方式的不同，分爲LPP EUV光源與DPP EUV光源。
LPP EUV光源是採用40千瓦的紅外激光器轟擊液態錫靶，產生高溫等離子體然後產生13.5nm波長的EUV光源，然後經過一系列的複雜的光路聚焦和引導，就可以用來給光刻膠曝光。
DPP EUV是通過在高壓下產生等離子體。當洛倫茲力收縮等離子體時,等離子體被加熱,產生EUV光。
哈工大的可調諧激光技術實驗室經過10多年在光源領域的研究，已經研發出大功率的DPP EUV極紫外光源。目前DPP EUV是ASML的EUV光刻機所採用的光源。
根據哈工大新聞網的公開消息，2022年底舉辦的世界光子大會上，哈工大學研發的“高速超精密激光干涉儀”榮獲首屆“金燧獎”，並且該項目已實現了小批量生產。超精密激光干涉儀是爲納米計量測試提供核心儀器，可以對晶圓、物鏡系統、工作臺位置的超精準定位，爲我國高端光刻機研發提供嵌入式在線測量手段。
綜合來看我國至少國產高端光刻機卡脖子的地方其實並不在光源。
四、國產光刻機實現突破到底難在哪？
ASML的光刻機靠着沉浸式及雙機臺等技術和美國的支持，2006年打敗了佳能、尼康成爲目前世界上唯一的EUV光刻機供應商，截止至2022年底，ASML一共纔出貨182臺EUV光刻機，每臺售價超過1億美元。
而其實EUV光刻機的工作原理並不算複雜，就是將非常窄的光束照射到經過“光刻膠”化學品處理的硅晶片上，在光線與化學品接觸的晶片上形成複雜的圖案，這些圖案是事先精心設計好的。這個形成所有重要晶體管的過程被稱爲光刻。
這個過程說起來很簡單，實際上超級複雜，在指甲蓋大小的晶圓上安裝數以億計的晶體管，要想將這些晶體管連接起來，只能採用納米級的電路。
高端製造業的本質就是控制誤差，光刻機是納米級的精度，代表着全人類最先進的工藝。
要構建一臺光刻機，難的不是任何一個環節，而是整臺機器、所有零件、所有環節，全部都要達到納米級精度。光刻機其實是一整套完整的納米工業。精密光學元器件，精密控制都需要精密機牀高精度加工。最先進的EUV光刻機有10萬個零部件，分別來自於全球5000家供應商，供應鏈非常長。
光刻機的產出是納米級的芯片，但在它背後，動力系統、測量系統、避震系統、密封系統、液壓光鏡材料，每一樣都需要納米精度。而光刻膠是需要精細化工方面的突破。
結語：納米級的工業體系短期之內是急不出的。新技術的突破從設想到與實驗室環節，再到量產都需要時間，科研存在風險變數也屬正常，所以只能腳踏實地，堅持在高端工業母機、高精度工業機器人、高端軸承，高端化工原料等方面的研發，相信EUV光刻機的全國產化只是時間的問題。
參考文獻：
[1]Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching，Naturevolume590,pages576–579 (2021)[2]穩態微聚束加速器光源，唐傳祥,鄧秀傑，物理學報, 2022,71(15): 152901.
doi:10.7498/aps.71.20220486