臺積研發成果 首登自然期刊

臺積電與交大合作研究合成半導體新材料單晶的氮化硼技術有所突破，開發出全球最薄的二維半導體材料絕緣層，可望進一步開發出2奈米甚至1奈米的電晶體通道，有助縮小晶片尺寸。這項研究也讓臺積電首度登上全球知名的學術期刊《自然》（Nature）。

在科技部推動「尖端晶體材料開發及製作計劃」協助下，臺積電與交大合組研究團隊，進行單原子層氮化硼的合成技術等研究，近期有重大突破，成功開發出「大面積晶圓尺寸的單晶氮化硼」的成長技術，未來將有機會應用在先進邏輯製程技術，研究成果已經刊登在《自然》期刊。

科技部指出，爲提升半導體矽晶片的效能，積體電路中的電晶體尺寸不斷地微縮，目前即將達到傳統半導體材料的物理極限，因此全球科學家不斷地探索新的材料，以解決電晶體微縮所面臨的瓶頸。

目前臺積電正在推動3奈米量產計劃，指的就是電晶體通道尺寸，通道做的越小，電晶體尺寸就能越小，在不斷微縮的過程，電子會越來越難傳輸，導致電晶體無法有效工作，目前臺積電與交大聯手開發的二維原子層半導體材料，是科學界認爲，最能解決電晶體微縮瓶頸的方案之一。