臺積電申請集成芯片和用於形成集成芯片的方法專利，提高集成芯片的性能

金融界 2024 年 9 月 4 日消息，天眼查知識產權信息顯示，臺灣積體電路製造股份有限公司申請一項名爲“集成芯片和用於形成集成芯片的方法“，公開號 CN202410583914.9，申請日期爲 2024 年 5 月。

專利摘要顯示，本公開的各個實施例針對包括襯底上方的底部電極的集成芯片。頂部電極位於底部電極上面。覆蓋結構設置在頂部電極和底部電極之間。覆蓋結構包括與金屬層垂直堆疊的擴散阻擋層。切換結構設置在底部電極和覆蓋結構之間。切換結構包括底部電極上的介電層以及介電層上的第一氧親和層。第一氧親和層的第一吉布斯自由能小於介電層的第二吉布斯自由能。第一吉布斯自由能和第二吉布斯自由能之間的第一差小於‑100kJ/mol。本申請的實施例還涉及用於形成集成芯片的方法。

本文源自：金融界

作者：情報員