臺積電取得半導體裝置專利，通過專利技術降低寄生電容

金融界2024年6月26日消息，天眼查知識產權信息顯示，臺灣積體電路製造股份有限公司取得一項名爲“半導體裝置”的專利，授權公告號CN221226228U，申請日期爲2023年11月。

專利摘要顯示，本文描述的實施方式提供半導體裝置。半導體裝置包括具有一個或多個介電區域的全柵極晶體管，其中介電區域包括一個或多個介電氣體。介電區域可以包括位於磊晶區域（例如，源極/漏極區域）與全柵極晶體管中柵極結構的第一部分之間的第一介電區域。介電區域還可以包括位於全柵極晶體管中接觸結構與柵極結構的第二部分之間的第二介電區域。通過在全柵極晶體管中包括介電區域，與全柵極晶體管相關的寄生電容可以相對於另一個不包括介電區域的全柵極晶體管來說降低許多。

本文源自：金融界

作者：情報員