三星追趕臺積電決戰一領域 專利申請量全面上風

光刻機是產製半導體必備設備，各大廠商近年紛紛投入EUV(極紫外光)相關技術研發。(達志影像shutterstock)

據韓國《BusinessKorea》報導，以三星爲首韓國企業在晶圓先進製程雖暫時不如臺積電受肯定，但在先進製程必備技術EUV(極紫外光)曝光方面已經後來居上，三星各種專利申請量都領先臺積電。

該文並沒有特別強調與臺積電競爭，更着墨於韓國自身EUV曝光技術進入成長階段。韓國特許廳(특허청 ，專利及智慧財產權管理機構)的專利申請數量，韓企已連2年提交數量超過國外公司，這在2018年前從未發生。

EUV技術包含多項關鍵，例如多層反射鏡、多層光罩、防護膜、光源等，近期EUV已經被晶圓代工業用來生產5奈米制程晶片。近10年來吸引國際各大半導體商爭相投入研發。

據報導，近10年來6家針對EUV關鍵技術發展的企業所申請專利量就達全球，分別是卡爾蔡司(德國)18%、三星15%、ASML(荷蘭)11%、S&S Tech(韓國)8%、臺積電6%、SK海力士1%。

若以技術區分，處理技術專利申請量約佔32%，曝光設備技術佔31%、光罩技術佔28%，光罩佔9%。EUV用於製程領域可見三星、臺積電優勢，因爲2大龍頭合計佔比超過50%，分別是三星39%、臺積電15%。另外在臺積電相對空白的光罩領域，三星也佔9%，次於專做光罩的S&S Tech、Hoya(日本)、漢陽大學。

不過該文並未指出的是，雖然EUV光刻機曝光技術研發和專利申請各大廠商都投入，但能製造用於生產的EUV光刻機仍然僅限於ASML。