三星重磅宣佈第九代 1 太比特 QLC NAND 閃存

三星今天隨着其第九代四級單元（QLC）V-NAND 閃存的到來，宣佈在固態存儲領域開啓新的前沿。這種 NAND 每個單元存儲四位數據，因此得名四級單元，比傳統的三級單元 NAND 多一位。因此，它更側重於容量而非性能。三星稱，其旨在滿足人工智能應用所要求的大容量解決方案的需求。

三星表示，其第九代 QLC V-NAND 是爲人工智能時代打造的，因爲它層數最多。該公告未提及具體層數，這在三星是常有的事。但據 TechRadar 報道，今年早些時候，有消息稱其層數爲 280 層。該公司目前的第八代 V-NAND 有 236 層，而其第七代 V-NAND 爲 176 層。

三星終於突破了 QLC 閃存的 1Tb 障礙，這可能會在某個時候讓價格實惠的 4TB 和 8TB SSD 成爲可能

今年早些時候，三星宣佈了其第九代 TLC 閃存，稱 QLC 版本將在今年晚些時候推出。現在，它正式問世，完善了該公司的閃存產品陣容。三星表示，在推出第九代 TLC 閃存時學到了一些技巧，並將其應用於 QLC 版本。它使用三星的通道孔蝕刻和“雙堆疊結構”，在多層閃存中創建垂直電子通道。

此前有報道稱，三星將把兩個 145 層的芯片相互堆疊，並使用其“串堆疊”技術，從而形成一個 290 層的產品。三星很可能永遠都不會確認到底是 290 層還是 280 層，因爲出於某些原因，它將這些信息捂得嚴嚴實實，但這理應能讓 SSD 的容量實現大幅躍升。

三星承諾其第九代 QLC NAND 在性能和效率方面將有巨大提升。它稱其位密度實現了約 86%的大幅提升，並且得益於能夠預測單元狀態變化的預測技術，寫入性能已翻倍。它還表示，讀寫功耗分別下降了 30%和 50%，與之前的第八代 V-NAND 相比。