三星電子8層版本的HBM3E存儲芯片通過英偉達測試

【三星電子8層版本的HBM3E存儲芯片通過英偉達測試】財聯社8月7日電，知情人士稱，三星電子第五代HBM3E存儲芯片的8層版本已經通過英偉達的測試。三星電子和英偉達尚未就8層HBM3E存儲芯片簽署供應協議，但很快就會簽署；預計第四季度開始供應。12層版本的HBM3E存儲芯片尚未通過英偉達的測試。（路透）