美晶片法新措施 嚴控臺韓大廠在中國擴產

美商務部21日公告,基於美國的技術和國家安全,發表晶片法案中「安全護欄」相關措施,限制獲取補貼的企業與中國、俄羅斯、伊朗、北韓等受關注國家的投資等事項。美商務部長雷蒙多表示,該法案基於美國國安,這些護欄有助於美國與盟友未來數十年維持對中國等對手的優勢。

據相關規定,領取補助的企業在10年內,在中國等地擴產被嚴格限制,若擴產較先進晶片產量,擴產規模將不得超過5%,且設定10萬美元資本支出上限管制。若擴產現有傳統晶片(legacy chips)項目,擴產程度不得超過10%,且要擴產需要由東道國吸收85%以上產量,並要通知美商務部。

值得注意的是,美國明確規定技術節點,上述傳統晶片分水嶺爲28奈米邏輯晶片、18奈米DRAM、128層NAND半導體等,限制的技術水平反映美國持續加大對中國管控。美商務部表示,該措施延續去年10月對中國晶片禁令,且規範更爲完善嚴格,並會在往後8年,每兩年動態調整一次傳統晶片範圍。

市場關注包括臺積電、三星電子等大廠未來在中國的營運會否受衝擊。韓國工業部22日表示,仍會在60天公示期與美國討論,認爲韓企至少能部分擴大在中國設施以及技術更新。

新措施還公告,擴大管制量子運算、輻射密集環境和其他專業軍事用途成熟製程晶片,預料將對中國AI等發展帶來衝擊。法規還嚴格限制,獲補貼企業不得與美國各項制裁清單上中企有相關合作,違反擴產或技術合作規定的企業,將會被收回補助金。