美晶片法過關臺積電躺槍！外媒揭打壓大陸嚴重下場

美晶片法過關將阻礙臺積電等公司在陸擴廠。(示意圖／達志影像shutterstock）

規模約520億美元的晶片法案通過美國參衆兩院表決，美國總統拜登最快本週簽署成法，值得注意的是，該法案其中有項「10年條款」，即獲得補貼的業者，10年內將不得於大陸或其他不友善國家建廠。美國財經媒體分析指出，此法案勢必升高美國和大陸之間的緊張關係，而且限制英特爾及臺積電等公司在大陸增產先進晶片，實際上將失去在大陸這個全球最大半導體市場的成長機會。

報導指出，獲得美國晶片法案補助資金的半導體公司，必須承諾不會在大陸或俄羅斯等國擴大生產超過28奈米的晶片，雖然28奈米晶片比目前最先進的半導體落後了幾代，但它們仍被廣泛用於包括汽車和智能手機在內的產品中，而該項禁令也包括邏輯和記憶體晶片。

事實上，英特爾在2021年底就希望增加在大陸的產量計劃，但被白宮拒絕，英特爾最終將其位在大連的晶圓廠出售給韓國的SK海力士，英特爾目前在大陸仍有晶片封裝和測試設施。至於臺積電方面，其位在大陸南京的工廠則生產28奈米和16奈米晶片。

報導指出，預計此項晶片法案，大部分資金將用於英特爾、臺積電和三星，上述這些公司都準備在美國建設價值數百億美元的晶片製造設施。

華爾街日報則指出，美國太晚才補貼半導體業恐難贏亞洲，分析晶片法案無法改變美國不是適合製造地的事實，晶片廠投資案多半流向美國以外的地方。美國半導體行業協會（SIA）資料顯示，全球晶片製造產能，約有四分之三位於大陸、臺灣、南韓、日本，美國僅佔百分之十三，主因在於，在美國設立一家晶片廠並營運十年的成本，遠比在大陸高五成，也比在臺灣、南韓、新加坡高三成。