陸曝光機能生產8奈米晶片？專家爆內幕：接近ASML這產品

大陸以「舉國之力」發展晶片工業。(示意圖:shutterstock/達志)

美國晶片管制反而激勵大陸技術突破，大陸工信部聲稱已研發出深紫外光曝光機（DUV），分辨率小於65奈米、套刻精度小於8奈米，部分人士解讀爲可生產8奈米及以下晶片，但科技產業專家「曲博」曲建仲表示，大陸該款曝光機的製程能力大約落在55奈米到65奈米之間，技術介於荷商ASML的XT1460K與XT1150C曝光機。

曲建仲在《曲博科技教室》影片中表示，大陸國產曝光機的套刻精度，也就是所謂的疊對誤差小於等於8奈米，代表前一層光罩和後一層光罩的誤差小於等於8奈米，經由光學鄰近修正，有機會把解析度提高到55奈米，判斷製程能力大約落在55奈米到65奈米之間。

曲建仲強調，直接把套刻精度作爲光刻機制造製成的節點是弄混了，雖然大陸新一代曝光機的65奈米分辨率，如果採用多重曝光可能做到更先進的製程節點，但受限套刻精度帶來的誤差疊加放大，重複曝光多次時，誤差也隨之放大。

曲建仲續指，若大陸國產曝光機要製作8奈米制程，需要自對準八重曝光（SAOP），要重複曝光3次，才能達到8奈米的結構，但幾何形狀會受到嚴重扭曲，因此在製作上非常困難。

曲建仲並以ASML的曝光機參數對照，大陸最新國產曝光機分辨率小於65奈米，接近ASML的XT1460K曝光機，但ASML該款曝光機的套刻精度僅3.5到5奈米，遠比大陸最新的國產光刻機先進；ASML更舊的曝光機XT1150C，分辨率則爲90奈米，疊對誤差12到20奈米，判斷大陸該款曝光機的規格介於ASML的XT1460K與XT1150C。