陸半導體遭美打壓！專家曝北京2手段突圍 產出恐拋震撼彈

大陸正以第三類半導體、積極佈局Chiplet的兩大策略加以突圍。（示意圖/達志影像/shutterstock）

臺積電引領全球半導體重新洗牌，併成爲全球地緣政治的焦點議題。電子電機公會副秘書長呂正欽指出，美國動作頻頻、目的在於遲滯中國大陸的半導體技術與產業發展，大陸要靠自己慢慢發展先進製程，觀察期至少10年。IDC Taiwan國際數據資訊總經理江芳韻則指出，大陸正以第三類半導體、積極佈局Chiplet的兩大策略，加以突圍，陸方正着手SiC長晶的大幅擴產，預估新產能在2024年若有效產出，SiC wafer市佔將大幅提升，其產業影響力將不容忽視。

現代財經基金會27日舉辦「全球晶片產業競逐的大趨勢」論壇，邀請學者專家分別從不同的面向進行深入解讀並提出建言。熟知半導體政策規劃的呂正欽，認爲儘管全球經濟下行風險持續升高，預預期2024年全球與臺灣半導體產業會比2023年好，預估全球成長達18.2％、臺灣成長13.6％。

江芳韻指出，隨者全球保護主義上升，主要經濟大國在發展自給自足ICT產業鏈方面不遺餘力，半導體產業尤爲各國關注的焦點。爲了削減中國在半導體和科技上的發展，美國除了透過晶片法案進行規範外，也聯合荷蘭，日本等限制中國在取得半導體設備、材料、特殊化學品、軟體(EDA)的能力。

儘管在國際的廣泛設限下，江芳韻認爲，中國大陸希望憑藉龐大的內需市場及政府的力量突圍，半導體產業一直是官方扶植的重點產業，最終政策目標是自給自足率達到70％，就目前投入的經費和發展情況，2025年達成率約二成上下。據IDC追蹤，中國晶圓廠目前在22／28奈米以上製程晶片已有自給自足的能力，未來透過政府的政策與補貼，預計2030年在成熟製程領域市場(≥22nm)將能達到近四成的佔有率，高於2023年的三成，中國在全球半導體產能的影響力也將隨之提升。

中國大陸已是在十四五計劃中，將第三類半導體列爲發展要項。江芳韻指出，第三類半導體如碳化矽、氮化鎵等因具有低耗損、高功率、耐高溫、耐高壓的特性，特別適用在高壓、大電流的環境，因此未來電動車、高頻通訊、5G通訊、綠能等領域等應用中將扮演關鍵角色，多被視爲國安級產業、也是各國重點發展、保護、以及政策鼓勵投資及管制出口的項目。

江芳韻指出，2023年中國第三類半導體碳化矽（SiC）長晶產能陸續開出，除攜手國際整合元件廠（IDM）外，也將開始進軍功率元件。中國SiC長晶擴產幅度大，新產能在2024年若有效產出，SiC wafer市佔將大幅提升，其產業影響力將不容忽視。

此外，爲了繞開禁令限制，中國大陸也正透過chiplet，連接不同功能的晶片來減緩高階晶片發展受限帶來的影響。中國已建立chiplet聯盟，併產生了中國第一個Chiplet技術標準。在2023年擬定的Chiplet發展草案中，更戈大火重視透過chiplet來優化中國封裝及基板供應鏈，拓展相關封裝技術。

江芳韻分析，雖然中國積極希望透過Chiplet突圍，但並不是所有的晶片都適合做Chiplet，例如消費電子類的晶片如手機、筆電就很少需要Chiplet的設計。另外Chiplet通常需要採用先進封裝技術，成本較高，加上Chiplet設計需要更多的IP，而這並非是中國的強項。未來Chiplet是否能成爲中國半導體自主化的關鍵助力，仍需時間觀察。