記憶體3大廠 拚明年Q1損平

記憶體產業不景氣的循環，已持續長達一年，導致三大原廠擴大減產，以減少流血輸出。龍頭廠三星NAND稼動率今年第四季降到50％，主要理由有二:一是製程轉換，必須停線，其次是市況不好，透過減產達到漲價目的。

業界人士指出，近期NAND回溫速度優於市場預期，近期漲幅較DRAM明顯，除減產策略奏效外，手機大容量需求，也帶動NAND出貨的提升。

業者指出，現貨價爲先行指標，NAND Wafer 1Tb TLC現貨價反彈27％、主流產品512Mb TLC 彈幅25.7％，256Mb TLC 16％，由市場供需而言來看，目前漲價趨勢將持續到明年，預估第四季價格持續收斂，甚至有機會出現現貨與合約黃金交叉。

在DRAM部分，三星已由第二季的減產20％，到近期宣佈，第四季將減產幅度拉高至30％，策略已見奏效，且得益於報價拉擡，從9月初起，DDR5 16Gb現貨價自低點反彈5.15％、DDR4 8Gb反彈 3.44％、DDR3 4Gb反彈6.04％。

其中，尤以DDR3漲幅最大，主因是大廠DDR3產能較少，率先縮減後，並將產能轉往更高階產品，因此，DDR3市場供不應求，也反映出下游端庫存已逐步去化，進而產生需求。業界人士研判，DRAM景氣谷底循環接近尾聲，近期已有原廠宣佈調升合約價，預期第四季可見產品均價彈升。