硅能光電取得雙發光區域倒裝LED芯片封裝結構專利，在需求發光亮度較低時具備更好光集中度及更高反射光效

金融界2024年12月28日消息，國家知識產權局信息顯示，硅能光電半導體（廣州）有限公司取得一項名爲“一種雙發光區域的倒裝LED芯片封裝結構”的專利，授權公告號CN 222214208 U，申請日期爲2024年1月。

專利摘要顯示，本實用新型屬於LED光源封裝結構，具體涉及一種雙發光區域的倒裝LED芯片的封裝結構，LED芯片的第二發光區域包圍中心的第一發光區域，並且第一發光區域和第二發光區域連接不同的電極，同時所述LED芯片封裝在反射結構中；在需求發光亮度較低時，可以只點亮第二發光區域，位於中心的第二發光區域具有在反射結構中具有更好的光集中度以及更高的反射光效；在需求發光亮度較高時，同時點亮第一發光區域和第二發光區域，能夠提供更高的亮度。

本文源自：金融界

作者：情報員