慧榮推出專為AI手機等設計的6奈米 UFS 4.0控制晶片

榮科技推出專爲 AI 智慧型手機、邊緣運算及車載應用設計的 6奈米制程 UFS 4.0 控制晶片。照片提供／慧榮科技

全球 NAND 快閃記憶體控制晶片領導廠商慧榮科技（NasdaqGS: SIMO）13日宣佈推出 SM2756 UFS（Universal Flash Storage）4.0 控制晶片，成爲慧榮科技 UFS 控制晶片系列中的旗艦款，以因應快速成長的 AI 智慧型手機、車用和邊緣運算等高效能應用需求。另也宣佈推出全新第二代 UFS3.1控制晶片 SM2753。

慧榮科技將於3月20日在深圳舉辦的 CFMS MemoryS 2024峰中展示最新的 UFS 控制晶片，以及最新的消費級和企業級 SSD 解決方案，同時也受邀於峰會主論壇中進行演講。

慧榮的 UFS 控制晶片系列已成爲目前業界最廣泛的產品組合，支援從 UFS4.0到 UFS2.2各種標準，也支援最廣泛的 NAND Flash，包括次世代高速的3D TLC 和 QLC NAND，爲旗艦、主流和入門級的行動和運算裝置提供高效能、低功耗的嵌入式解決方案。

SM2756 是全球最先進的 UFS 4.0控制晶片解決方案，以領先的6奈米 EUV 技術爲基礎，並運用 MIPI M-PHY 低功耗架構，使其在效能與功耗間取得完美的平衡，滿足現今頂級 AI 行動裝置全天候運算需求。SM2756 循序讀取效能超過每秒4,300 MB，循序寫入速度超過每秒 4,000 MB，支援各種 3D TLC 和 QLC NAND，且支援容量最高可達 2TB。

全新的第二代 SM2753 UFS 3.1控制晶片解決方案採用高速序列連結的 MIPI M-PHY HS-Gear4 x 2-Lane 和 SCSI 架構模型 (SAM)，展現無與倫比的效能。繼 SM2754 UFS3 控制晶片的成功上市，慧榮科技進一步推出主打單通道設計的 SM2753，支援次世代3D TLC和QLC NAND 以達到每秒 2,150 MB/1,900MB 的循序讀取/寫入效能，同步滿足主流與入門級手機、物聯網裝置以及車載應用的 UFS3需求。

慧榮科技最新的 UFS 控制晶片解決方案搭載先進的 LDPC ECC 技術和 SRAM 資料錯誤偵測與修正功能，能強化資料可靠性、提升效能並減少功耗。此外，支援最廣泛的快閃記憶體，包括所有 NAND 大廠所生產的3D TLC 和 QLC NAND 。

「我們的 SM2756採用6奈米 EUV 製程，滿足了最新頂級智慧型手機對高效能、高容量與低功耗儲存的需求，符合次世代AI的功能和應用。」慧榮科技終端與車用儲存事業羣資深副總段喜亭表示，全新的單通道 SM2753 UFS 控制晶片讓我們能以更具成本效益、高效能與低功耗的產品，持續在廣大且不斷成長的 UFS3市場中保持領先地位。