環球晶攜交大 成立化合物半導體研究中心

環球晶母公司中美晶董事長盧明光（左起）、環球晶董事長徐秀蘭（左二）、及交通大學代理校長陳信宏（右三）等共同宣佈，環球晶與交大合作成立化合物半導體研究中心，投入SiC及GaN研發。圖／業者提供

隨着5G、電動車等科技加速發展，功率半導體需求隨之升溫。着眼於第三代半導體材料碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）的發展潛力，環球晶27日與國立交通大學正式簽訂合約，共同合作成立化合物半導體研究中心，攜手研發第三代半導體材料包含但不限於6吋至8吋SiC和GaN晶圓，期能快速建立臺灣的化合物半導體產業鏈。

環球晶母公司中美晶榮譽董事長盧明光表示，SiC及GaN是非常具有發展前景的半導體材料，在下一波產業5G、電動車等高功率發電、高頻率的運用上是最關鍵的要素。盧明光強調，世界各國都視SiC爲國家戰略發展的原料及技術，臺灣應該將第三代半導體發展列爲國家科技政策、全力發展。環球晶與交通大學成立化合物半導體研究中心是一個強強結盟的重要起步。

交通大學代理校長陳信宏表示，交大引領檯灣半導體研究之先，例如臺灣第一片矽晶圓是在交大實驗室完成的。交大結合校友力量，協助學校推動尖端研究，期望五～十年能有三～五個領域達到世界第一的目標，進而成就「偉大大學」願景。

陳信宏指出，在本研究中心，交大團隊將整合跨尺度學理研究特色，並結合環球晶生產製程相關獨特技術，整合理論與實務共同開發創新的高產能相關化合物半導體晶圓製造技術，以製造大尺寸、高品質、低缺陷晶圓爲目標。

環球晶表示，相較於傳統的半導體矽材料，SiC及GaN這類寬能隙（WBG）元件具有優異的熱傳導率和高速切換能力，可減少運作損耗，出色的性能適合在高溫高電流環境下運作，可提供更高的功率和絕佳熱傳導。同時，其散熱性能優越，且高飽和電流適用於快速充電，這些卓越的特性適用在5G通訊、快速充電與超高壓產品如電動車領域，深具市場潛力，被視爲功率半導體元件的明日之星。