國研院半導體研究中心臺南基地上樑 2020年啓用
國研院臺灣半導體研究中心臺南基地今（16）日舉行上樑典禮，與成功大學合作，培育碩博士級半導體高階人才，預計2020年6月啓用並試營運。
由於臺積電將於南部科學工業園區建置全球第一個3奈米制程新廠，面對歐美日韓的強力競爭，臺灣要在國際半導體領域持續保持領先地位，必須要有更多的高科技人才投入。國研院透過此研究中心的建立，與產業界合力發展3奈米以下世代的半導體制程相關技術、開發符合下世代人工智慧所需之低耗能感測器，並藉此培育碩博士級半導體高階人才。
此基地設置於成功大學力行校區，建築總面積近千坪，一棟爲地上4層、地下1層的半導體研究設施主體，另一棟爲地上2層的綠色科技展示區。
半導體研究設施主體包含與業界生產研究環境接軌的200坪高規格半導體無塵室，以及35坪生醫光電核心設施檢測實驗室，未來規劃推動「前瞻低耗能快速感測晶片」、「下世代半導體制程」、「先進異質整合封裝」及「先進微流體生醫晶片」等技術服務平臺。
國研院院長王永和表示，透過與成功大學合作，雙方可以共同鏈結中南部產學研界研究能量與資源，進而創新產業。未來國研院臺灣半導體研究中心會持續強化核心能量、深耕優勢領域並結合在地特色，與中南部地區產學研單位共同研發跨領域的先進半導體技術。
▼成大副校長蘇芳慶（中）與國研院院長王永和（右）。（圖／國研院提供）