更好的控噪表現與寬容度 索尼發佈雙層晶體管CMOS

索尼近日成功開發出全球首創的雙層晶體管像素堆棧式CMOS影像傳感器技術。傳統CMOS影像傳感器的光電二極體和像素晶體管分部在同一基片上，而索尼的新技術將光電二極體和像素晶體管分離在不同的基片層。與傳統傳感器相比，這一全新的結構使飽和信號量約提升至原來的2倍，擴大了動態範圍並降低噪點，從而顯著提高成像性能。採用新技術的像素結構，無論是在當前還是更小的像素尺寸下，都能保持或是提升像素現有的特性。

傳統的堆棧式影像傳感器（左）

採用新開發的雙層晶體管圖元技術的堆棧式傳感器（右）

此外，因爲傳輸門 (TRG) 以外的像素電晶體，包括重定電晶體 (RST)、選擇電晶體 (SEL) 和放大電晶體 (AMP)，都處於無光電二極體分佈這一層，所以放大電晶體（AMP）的尺寸可以增加。通過增加放大電晶體尺寸，索尼成功地大幅降低了夜間和其他昏暗場景下影像容易產生的噪點問題。

採用雙層晶體管體像素技術的CMOS橫截面

這項新技術使動態範圍擴大並降低了噪點，將避免在有明暗差（例如背光設置）的場景下曝光不足和過度曝光的問題，即使在光線不充足（例如室內、夜間）的場景下也能拍攝高品質低噪點的影像。

via：dcfever