格科微電子申請圖像傳感器及其形成方法專利，有效減輕高光溢出的影響

金融界2024年11月15日消息，國家知識產權局信息顯示，格科微電子（上海）有限公司申請一項名爲“圖像傳感器及其形成方法”的專利，公開號CN 118943148 A，申請日期爲2023年5月。

專利摘要顯示，一種圖像傳感器及其形成方法，所述圖像傳感器包括：子像素陣列，所述圖像傳感器的像素區域中包含多個子像素陣列，每個子像素陣列的半導體襯底內包含多個呈中心對稱排列的子像素，每個子像素均含有光電二極管區域；側向隔離結構，包含完全側向隔離結構和成對的部分側向隔離結構，所述完全側向隔離結構形成於所述半導體襯底的正面並完全隔斷所述半導體襯底，用於分隔相鄰子像素陣列，所述部分側向隔離結構與所述完全側向隔離結構同時形成於所述半導體襯底的正面，部分隔斷所述半導體襯底；背部隔離結構，形成於所述半導體襯底的背面。本發明可以有效減輕高光溢出的影響，提高FWC，提升器件品質。

本文源自：金融界

作者：情報員