高真空磁控濺射鍍膜技術【地震資訊】

真空鍍膜技術作爲一種產生特膜層的技術,在現實生產生活中有着廣泛的應用。真空鍍膜技術有三種形式:即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍膜。在這裡主要講下磁控濺射鍍膜。

磁控濺射技術在市場中應用非常的廣泛,各行各業物件膜層鍍膜,大多數都是採用磁控濺射技術,磁控濺射技術在真空行業也是非常的受歡迎和追捧。高真空磁控濺射鍍膜是屬於物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種,一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多種材料;適應用於鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜;且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附着力強等優點。

磁控濺射技術目前得以廣泛的應用 ,是由該技術有別於其它鍍膜方法特點所決定的。其特點可歸納爲:

靶材背面和濺射靶表面的結合處理

-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的,如果做不到面接觸,接觸電阻將增大,導致離化電場的幅值不夠(接觸電阻增大,接觸面的電場分壓增大),導致鍍膜效果不好;電阻增大導致靶材發熱升溫,降低鍍膜質量。

-靶材和靶面接觸不良,導致水冷效果不好,降低鍍膜質量。

-增加一層特殊導電導熱的軟薄的物質,保證面接觸。

距離可調整

基片和靶材之間的距離可調整,以適應不同靶材的成膜工藝的距離要求。

角度可調

磁控濺射靶頭可調角度,以便針對不同尺寸基片的均勻性,做精準調控。

集成一體化櫃式結構

一體化櫃式結構優點:

安全性好(操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉部件)

佔地面積小,尺寸約爲:長1100mm×寬780mm(標準辦公室門是800mm寬)(傳統設備大約爲2200mm×1000mm),相同面積的工作場地,可以放兩臺設備。

控制系統

採用計算機+PLC兩級控制系統

安全性

-電力系統的檢測與保護

-設置真空檢測與報警保護功能

-溫度檢測與報警保護

-冷卻循環水系統的壓力檢測和流量

-檢測與報警保護

勻氣技術

工藝氣體採用勻氣技術,氣場更均勻,鍍膜更均勻。

基片加熱技術

採用鎧裝加熱絲,由於通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內,所以高溫加熱過程中不釋放雜質物質,保證薄膜的純淨度。鎧裝加熱絲放入均溫器裡,保證溫常的均勻,然後再對基片加熱。

生產型磁控濺射與離子束鍍膜機

生產型磁控濺射與離子束多弧度鍍膜機

真空度更高、抽速更快

真空室內外,全部電化學拋光,完全去除表面微觀毛刺叢林(在顯微鏡下可見),沒有微觀藏污納垢的地方,腔體內表面積減少一倍以上,鍍膜更純淨,真空度更高,抽速更快。

綜上所述便是磁控濺射關鍵技術特點。

設備結構及性能

1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室+進樣室、鍍膜室+手套箱

2、磁控濺射靶數量及類型:1 ~ 6 靶,圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置:由下向上、由上向下、斜向、側向安裝

3、靶的安裝位置:由下向上、由上向下、斜向、側向安裝

4、磁控濺射靶:射頻、中頻、直流脈衝、直流兼容

5、基片可旋轉、可加熱

6、通入反應氣體,可進行反應濺射鍍膜7、操作方式:手動、半自動、全自動

工作條件

供電 ~ 380V 三相五線制

功率 根據設備規模配置

冷卻水循環 根據設備規模配置

水壓 1.5 ~ 2.5×10^5Pa

製冷量 根據扇熱量配置

水溫 18~25℃

氣動部件供氣壓力 0.5~0.7MPa

質量流量控制器供氣壓力 0.05~0.2MPa

工作環境溫度 10℃~40℃

工作溼度 ≤50%

設備主要技術指標

-基片托架:根據供件大小配置。

-基片加熱器溫度:根據用戶供應要求配置,溫度可用電腦編程控制,可控可調。

-基片架公轉速度 :2 ~100 轉 / 分鐘,可控可調;基片自轉速度:2 ~20 轉 / 分鐘。

-基片架可加熱、可旋轉、可升降。

-靶面到基片距離: 30 ~ 140mm 可調。

-Φ2 ~Φ3 英寸平面圓形靶 2 ~ 3 支,配氣動靶控板,靶可擺頭調角度。

-鍍膜室的極限真空:6X10-5Pa,恢復工作背景真空 7X10-4Pa ,30 分鐘左右(新設備充乾燥氮氣)。

-設備總體漏放率:關機 12 小時真空度≤10Pa。