財報旺 美光：HBM供不應求

美國記憶體晶片大廠美光（Micron）受惠於AI需求，上季（2月底止）轉虧爲盈併發布樂觀財測，激勵股價在21日早盤大漲。圖／美聯社

美國記憶體晶片大廠美光（Micron）受惠於AI需求，上季（2月底止）轉虧爲盈併發布樂觀財測，激勵股價在21日開盤大漲18％。美光執行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）20日在電話會議表示，美光今年的HBM（高頻寬記憶體）產能已經銷售完畢，明年的多數產能也已經被預定。HBM產品可望在本會計年爲美光創造數億美元營業額。

美光稍早預期本季（5月底止）營收約在64億至68億美元之間，中間值66億美元高於華爾街預期的60億美元。

美光也預期本季EPS約在0.10至0.24美元之間，高於華爾街預期的0.05美元。

美光上季營收年增58％至58.2億美元，高於華爾街預期的53.5億美元。美光上季淨利7.9億美元，與去年度同期的23億美元虧損相比轉虧爲盈。排除一次性費用後，美光上季EPS達到0.42美元。華爾街原先預期美光上季每股虧損0.25美元。梅羅特拉表示，美光近來在價格、產品以及營運成本方面都下了許多功夫，才促成上季轉虧爲盈佳績。

過去一年來記憶體晶片大廠紛紛減產，再加上AI產業爆炸性成長讓輝達AI處理器需求爆量，連帶造福上游記憶體晶片廠商。

梅羅特拉表示：「我們認爲這波AI浪潮將帶來多年商機，讓美光成爲半導體產業最大受惠者之一。」

對2024年DRAM和NAND Flash位元需求成長率預估，分別爲接近15％及中十位數（mid-teens）成長率，然而，2024年DRAM及NAND Flash位元供給成長率，皆低於需求成長率。

美光超過90％的NAND Flash，採用176以及232層製程。至於HBM3E，將自第二季起開始貢獻營收。

在資本支出方面，維持爲75～80億美元的金額（已考量美國政府補助），主要仍用於提升HBM相關產能。

美光表示，由於HBM採用更復雜的封裝方式，使消耗的DRAM產能爲DDR5的3倍，生產HBM，間接限制非HBM產品產能，使得整體DRAM市場供給改善。

對各終端2024年成長率看法方面，資料中心產業年成長率，由中個位數上調至中高個位數，PC產業年成長率維持爲低至中個位數，AI PC將在2025年佔市場一定份額，手機產業年成長率，則由溫和成長上調至中低個位數。