《半導體》宇瞻首創完全無鉛記憶體 助升DDR5滲透率

宇瞻產品中心資深處長尹華君表示，宇瞻研發團隊積極尋求完全無鉛技術解決方案，成功克服目前仍依賴RoHS 7(c)-I鉛豁免條款的電阻元件含鉛問題。完全無鉛記憶體模組的推出，標誌着宇瞻記憶體產品已實現完全符合歐盟RoHS標準的最後一哩路。對於醫療保健、數據中心、網路電信、AI及邊緣運算伺服器等產業來說，提前導入完全無鉛記憶體模組尤其重要。這不僅可避免歐盟RoHS豁免期限到期時，必須重新驗證產品所產生的額外人力、時間及費用成本，同時也可降低訂單損失風險。

AI應用正逐漸從AI伺服器擴展至AI電腦與邊緣AI裝置，隨着滲漏率的提升，預期未來DDR5的應用將更加廣泛。宇瞻完全無鉛DDR5記憶體模組支援UDIMM、SODIMM、RDIMM、ECC UDIMM以及ECC SODIMM等多種規格，並且不斷擴展更多的產品線，包括VLP(矮版)、Wide Temp.(寬溫)與Anti-Sulfuration(抗硫化)等，確保產品性能和可靠性能夠因應各種環境和應用場景，滿足日益多元的需求。